IPI057N08N3 G

Hersteller Produktnummer:

IPI057N08N3 G

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPI057N08N3 G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventar:

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12847383

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IPI057N08N3 G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

OptiMOS™

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

80 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3.5V @ 90µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

69 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

4750 pF @ 40 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

PG-TO262-3

Paket / Koffer

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis-Produktnummer

IPI057N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

IPI057N08N3 G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

500

Andere Namen

SP000680662

IPI057N08N3G

IPI057N08N3 G-DG

SP000395182

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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