IPI057N08N3 G
Hersteller Produktnummer:

IPI057N08N3 G

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPI057N08N3 G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventar:

12847383
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPI057N08N3 G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI057N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000680662
IPI057N08N3G
IPI057N08N3 G-DG
SP000395182

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQB5N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK

onsemi

NVMFS5C410NLT1G

MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN

onsemi

NTD4810NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

infineon-technologies

AUIRFS8407

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK